摘要: 1月25日消息，据集微网报道，近日业内传出消息称，美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心，并挑选40多位核心研发人员提供技术移民美国的资格。有业界人士分析称，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，并将产品的设计和研发收拢至大陆以外的...
1月25日消息，据集微网报道，近日业内传出消息称，美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心，并挑选40多位核心研发人员提供技术移民美国的资格。有业界人士分析称，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，并将产品的设计和研发收拢至大陆以外的地区。
报导指出，多位美光前员工与在职员工表示，美光此次并非解散整个上海研发中心，仅仅解散DRAM设计部门，该部门总人数超过100人。集微网也通过美光员工证实，上海DRAM设计团队将在今年内完成解散，公司提供技术移民美国资格的消息属实，部分核心员工将可携带家属一同移民美国，但目前无法确定有多少员工会选择移民。
因此，有半导体行业内人士分析，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，虽然目前国内的DRAM企业数量相对较少，但未来几年有可能涌现出新的几家DRAM制造商，且现有DRAM企业也正求才若渴，美光此举或是想将产品的设计和研发收拢至中国大陆以外地区。加上美光十分重视知识产权保护，因此有可能提前进行部署。
2016 年5 月，联电与福建晋华签署了合作协议。依据该协议，联电与晋华共同开发两代动态随机存取记忆体(DRAM) 制程。协议中所开发的DRAM 制程并非最新技术，而是与2012 年已用于量产技术相似的旧技术。
然而，有3 位参与DRAM 合作案的台湾美光前员工，却违反与联电签订的雇佣合约与声明书，携带前公司信息进入联电并于工作中参考，又将机密资料转移给晋华，美光因此在台湾起诉联电，同年又在美国对联电、晋华提起诉讼，随后美国司法部开始调查。
联电当时指出，在与美国司法部的和解协议中，美国司法部同意撤销对联电原来包括共谋实施经济间谍活动、共谋窃取多项美光营业秘密和专利有关等指控。联电承认侵害一项营业秘密，同意支付美国政府6,000 万美元的罚金，并在3 年自主管理的缓刑期间内与美国司法部合作。
美光科技表示，其为创新记忆体和储存空间解决方案的业界领导者，拥有超过40 年技术引领与创新经验及总数超过47,000 件的全球专利，积极大幅投资于先进研发及制造。该公司持续推动对于数据经济至关重要的各项创新，对于智慧财产权的保护则是公司保持竞争力的重要基石。
市场调研公司Counterpoint的报告显示，目前在全球市占率中，三星(41.5%)与SK海力士(29.3%)、美光(23.4%)便掌握全球九成份额。反观国内DRAM企业相对少，目前国内专注于DRAM存储芯片的合肥长鑫虽然已有所突破，但与国际大厂仍有很大差距。
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2022年01月26日 23:26:25
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